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凌拓带你了解LED芯片抗静电指标
 

  随着LED业内竞争的不断加剧,LED品质受到了前所未有的重视。LED在制造、运输、装配及使用过程中,生产设备、材料和操作者都有可能给 LED带来静电(ESD)损伤,导致LED过早出现漏电流增大,光衰加重,甚至出现死灯现象,静电对LED品质有非常重要的影响。LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度,LED的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系,更是一个整体质素和可靠性的综合体现。因为往往抗静电高的 LED,它的光特性、电特性都会好。
  LED静电失效原理:
  由于环境中存在不同程度的静电,通过静电感应或直接转移等形式LED芯片的PN结两端会积聚一定数量的极性相反的静电电荷,形成不同程度的静电电压。当静电电压超过LED的最大承受值时,静电电荷将以极短的时间(纳秒)在LED芯片的两个电极间放电,从而产生热量。在LED芯片内部的导电层、PN结发光层形成1400℃以上的高温,高温导致局部熔融成小孔,从而造成LED漏电、变暗、死灯,短路等现象。
  被静电击损后的LED,严重的往往会造成死灯、漏电。轻微的静电损伤,LED一般没有什么异常,但此时,该LED已经有一定的隐患,当它受到二次静电损伤时,那就会出现暗亮、死灯、漏电的机率增大。当LED芯片受到轻微的、未被觉察的静电损伤,这是时候需要扫描电镜放大到一万倍以上进一步确诊,以防更高机率的失效事故发生。
  扫描电镜下的蓝光LED静电击穿点(放大倍数:1.3万倍)
  抗静电指标取决于LED芯片,但LED灯更容易受静电损伤
  LED灯珠的抗静电指标高低取决于LED发光芯片本身,与封装材料预计封装工艺基本无关,或者说影响因素很小,很细微;LED灯更容易遭受静电损伤,这与两个引脚间距有关系,LED芯片裸晶的两个电极间距非常小,一般是一百微米以内吧,而LED引脚则是两毫米左右,当静电电荷要转移时,间距越大,越容易形成大的电位差,也就是高的电压。所以,封成LED灯后往往更容易出现静电损伤事故。
  抗静电指标好是LED综合性能可靠的综合体现
  LED的抗静电指标绝不仅仅是简单地体现它的抗静电强度,了解LED芯片外延设计制造的的人都了解,LED芯片的抗静电能力与其漏电值、整体可靠性有很大关系,更是一个综合质素和可靠性的综合体现,因为往往抗静电能力高的LED,它的光特性、电特性都会好。
  LED的抗静电指标好不仅仅意味着能适用在各类产品和各种环境中,还是LED综合性能可靠的体现。根据测量的不同品牌的LED抗静电指标,各国际LED大厂的LED抗静电通常都比较好,而部分B品、杂牌、韩系芯片抗静电仍然很低。LED抗静电能力的高低是LED可靠性的核心体现。即便 LED的亮度和电性指标都很好,一旦其的抗静电指标低,就很容易因静电损伤而死灯。对LED的抗静电指标进行测试是一项非常有效的品控手段,有效地评估 LED抗静电能力刻不容缓。
  熟悉LED制造的企业都深知目前中国LED业内的产品质量参差不齐,不同质量的LED,稳定性相差甚远,使得不少LED用户困惑无比,甚至深受其害。其中又以因LED抗静电低引起的暗亮、死灯、漏电等质量事故最为损失惨重,尤其目前有一些质量并不高的部分台系次品、韩系企业的芯片大量涌入中国,即便是大厂产品,中间销售商以次充好的现象时常发生,很多公司面临着巨大的风险。LED封装企业只要选用抗静能力电高一些的LED芯片,做好封装工序,产品肯定可靠稳定。LED照明厂以及LED用户要经常对灯珠进行抗静电能力测试。选用抗静电高的LED是管控LED品质的核心所在。
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